1、主电源 VDD 和 VDDQ

主电源的要求是 VDDQ=VDD=1.2V，VDDQ 是给 IO buffer 供电的电源，VDD 是给内核供电。但是一般的使用中都是把 VDDQ 和 VDD 合成一个电源使用。

2、参考电源 VREFCA

参考电源 Vref 要求跟随 VDDQ，并且 Vref=VDDQ/2，参考电源 VREFCA 可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到。由于 Vref 一般电流较小，在几个 mA~几十 mA 的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活。需要注意分压用的电阻在 100Ω~10kΩ均可，需要使用 1%精度的电阻。Vref 参考电压的每个管脚上需要加 10nF 的电容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。

3、用于匹配的电压 VTT

VTT 为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。DDR 的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到 VTT，如控制器带的 DDR 器件比较少的情况下。如果使用VTT，则 VTT 的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。并且 VTT要求电源即可以吸电流，又可以灌电流才可以。一般情况下可以使用专门为 DDR设计的产生 VTT 的电源芯片来满足要求。而且，每个拉到 VTT 的电阻旁一般放一个 10Nf~100nF 的电容，整个 VTT 电路上需要有 uF 级大电容进行储能。