在实际应用中，我们基本上都用的是增强型MOS管，分为N沟道和P沟道两种。

NMOS因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个叫体二极管。在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

为保证结型场效应管栅-源间的耗尽层加反向电压，对于N沟道管，Ugs小于等于0，对于P沟道管，Ugs大于等于0.

N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。凡栅-源电压Ugs为零的管子，均属于增强型管；凡栅-源电压Ugs为零时漏极电流不为零的管均属于耗尽型管。

N型增强型管，当Ugs是大于Ugs（th）的一个确定值时，若在d-s之间加正向电压，则将产生一定的漏极电流。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会通道，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以。

P沟道增强型管，MOS管的开启电压Ugs（th）<0,当Ugs0，Ugs可在正、负值的一定范围内实现对id的控制，漏-源之间也应加负电压。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。