| SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失，因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的，大家知道电容在自然放置状态是会有放电的，如果电放完了，也就意味着SDRAM中的数据丢失了，所以SDRAM需要在电容的电量放完之前进行刷新；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。 1、刷新周期为64ms，刷新速率=64ms/8192行 = 7.81us（如果是小容量的SDRAM，行数会比较少，比如8M的SDRAM行数为4096，对应的刷新速率为15.62us），64ms为最大刷新周期，也就是说，我们设置的刷新周期必须<=64ms。 2、SDRAM内部其实是一个存储阵列，大家可以想象一下，如果SDRAM内部不是以阵列的形式存在而是以管道的形式存在，那SDRAM是很难做到随机访问的。阵列就如同一张表格一样，将数据填进去。和表格的检索原理一样，先确定一个行（Row），再确定一个列（Col），我们就可以准确的找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。 SDRAM的地址线： BA0，BA1：Bank地址线，用来给bank的地址，可以控制SDRAM的4个bank。 A0～A11：地址线，当我们选择SDRAM某个Bank的Row地址的时候，需要到12根地址线（A0～A11）；当选择Col地址的时候，只用A0～A8这9根线；A10这个信号可以用来控制Auto-precharge。对于Row地址用到了12根线，也就是总共有2^12=4096个Row地址，而col地址使用9根线，也就是有2^9=512个col地址，而总共加起来的话，一个Bank就有4096×512=2097152 (2x1024x1024) ,也就是有2M个地址。 |
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