为了数据在掉电后不丢失，这就需要使用 EEPROM 或 FLASH ROM等存储器来实现。既然两者差不多，为什么设计中还要既有 Flash又有 EEPROM 呢？

通常，Flash 都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPROM 是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12：00，后来在运行中改为 6：00，这是保存在 EEPROM 里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00。

但最大区别是其实是：FLASH 按扇区操作，EEPROM 则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH 的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比 EEPROM 低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行，但操作比 EEPROM 麻烦的多，所以更“人性化”的 MCU 设计会成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器。

FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或EEPROM 结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同。

Flash 的特点是结构简单，同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储器。很多应用中，需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的 EEPROM 在此非常适合，所以很多 MCU 内部设计了两种EEPROM 结构，FLASH 的和传统的以期获得成本和功能的均衡，这极大的方便了使用者。