一、1MHZ以内，以差模干扰为主：

1、增大X电容；

2、添加差模电感；

3、小功率电源可采用PI 型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。

二、1MHZ-5MHZ，差模共模混合：

1、采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，

2、对于差模干扰超标可调整x电容里，添加差模电感器，调差模电感量；

3、对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制，也可改变整流二极管特性来处理，一对快速二极管，如FR107，一对普通整流二极管1N4007。

三、5M以上，以共摸干扰为主：

1、采用制共摸的方法，对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用；

2、可选择紧贴变压器的铁芯粘

3、铜箔，铜箔闭环．处理后端输出整流管的吸收电路和初大电路并联电的大小。

四、20-30MHZ

1、对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2电容位置

2、调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

3、在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

4、改变PCB LAYOUT;

5、输出线前面接一个线并的小共模电感

6、在输整流管两端波器调整合理的参数；

7、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

8、在变压器的输入电压脚加个小电容。

9、可以增大MOS驱动电阻。

五、30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起：

1、可以用增大MOS驱动电阻； 

2、RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；

3、VCC供电电压用1N4007慢管来解决或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

4、在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

5、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

6、在变压器的输入电压脚加一个小电容

7、PCBLAYOUT时使用大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能小的变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路回路尽可能的小。

六、50-100MHZ，普遍是输出整流管反向恢复电流引起。

1、可以在整流管上串磁珠；

2、调整输出整流管的吸收电路参数；

3、可改变一二次侧跨接Y电支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；

4、可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）;

5、增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

七、200MHZ以上，开关电源的基本辐射已经很小，一般可过EMI标准。

补充说明：

一、开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述。开关电源是高频产品PCB的元器件布局对EMI有影响，请密切注意此点。

开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大的影响，请密切注意此点。主开关管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对 EMC 有一定的影响，请密切注意此点。

二、EMI滤波器设计原理

在开关电源中，主要的EMI骚扰源是功率半导体器件开关动作产生的DV/DT和DI/DT，因而电磁发射EME(Electromagnetic Emission）通常是宽带的噪声信号，其频率范围从开关工作频率到几MHz。所以，传导型电磁环境(EME）的测量，正如很多国际和国家标准所规定，频率范围在0.15~30MHz。设计EMI滤波器，就是要对开关频率及其高次谐波的噪声给予足够的衰减。基于上述标准，通常情况下只要考虑将频率高于150kHz的EME衰减至合理范围内即可。 

三、在数字信号处理领域普遍认同的低通滤波器概念同样适用于电力电子装置中。

EMI滤波器设计可以理解为要满足以下要求：

1、规定要求的阻带频率和阻带衰减；（满足某一特定频率fstop有需要Hstop的衰减）;

2、对电网频率低衰减（满足规定的通带频率和通带低衰减）;

3、低成本。